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In this paper, an N-MCT with a low threshold voltage of off-FET has been investigated by simulation and experiment. We have demonstrated the MCT with self-aligned spacer formation and recess process, which results in uniform off-FET channel length. And boron is implanted to adjust the threshold voltage of off-FETs. The threshold voltage of non-doped and proposed MCT was -1.2 V and 0.6 V, respectively. The forward blocking voltage of both MCTs was similar to 1800 V and the turn-on voltage of MCTs was 0.2 V and 0.75 V, respectively. The non-doped and proposed MCTs exhibit the same di/dt around 35.7 kA/㎲ and peak current of 2.69 kA. That is pointed out that this proposed MCT structure is promising because the current driving capability is improved without degradation of on-state characteristics.
#N-MCT(MOS controlled thyristor) #pulse power #power device #turn-off #V< #SUB> #th< #/SUB> # implantation

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE DESIGN AND SIMULATION RESULTS
III. FABRICATION PROCESS
IV. EXPERIMENTAL RESULTS
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (14)

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V. A. K. Temple, “MOS-Controlled thyristors?A new class of power devices,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 33, no. 10, pp. 1609-1618, Oct. 1986 google schola V. A. K. Temple, “MOS-Controlled thyristors?A new class of power devices,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 33, no. 10, pp. 1609-1618, Oct. 1986 google schola C. Liu et al., “A Novel Insulated Gate Triggered Thyristor With Schottky Barrier for Improved Repetitive Pulse Life and High-di/dt Characteristics,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, no. 2, pp. 1018-1025, Feb. 2019 google schola C. Liu et al., “A Novel Insulated Gate Triggered Thyristor With Schottky Barrier for Improved Repetitive Pulse Life and High-di/dt Characteristics,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, no. 2, pp. 1018-1025, Feb. 2019 google schola L. Li et al., “Experimental Study on Displacement Damage Effects of Anode-Short MOS-Controlled Thyristor,” IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 67, no. 3, pp. 508-517, Mar. 2020 google schola

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