Export Mendeley
＜Doctoral Thesis＞
Study of Manganese Oxide Slurries for Chemical Mechanical Polishing
| Creator | |
|---|---|
| Examiner | |
| Language | |
| Academic Year Conferred | |
| Conferring University | |
| Degree | |
| Degree Type | |
| Publication Type | |
| Access Rights | |
| JaLC DOI | |
| Abstract | 現在、LSI(Large Scale Integration)デバイスの多層配線形成にはCMP(Chemical Mechanical Polishing)技術が必須となっている。ここで、CMP技術とは微細な砥粒と化学液からなるスラリー(研磨剤)とそれに適応する比較的硬質な発泡ポリウレタン製パッドを用い、回転するパッド上にスラリーを滴下しながらパッドと被加工物であるウェハを相対運動させることによっ...てウェハ表面を平坦化･平滑化する加工技術である。本研究では、CMP技術の中でも加工性能を直接的に左右する重要な役割を果たすスラリーにおいて、世界に先駆けて、新しい固体酸化剤である酸化マンガン系スラリーをW(プラグ)-CMP及びSiO_2(層間絶縁膜)-CMPに適用したCMPの研究に関するものである。本論文は、全7章からなる。show more |
| Table of Contents | 第1章 緒論 第2章 本研究のコンセプト 第3章 W-CMP用の酸化マンガンスラリー(MnO_2) 第4章 SiO_2-CMP用の酸化マンガンスラリー(MnO_2) 第5章 SiO_2-CMP用の酸化マンガンスラリー(Mn_2O_3) 第6章 SiO_2-CMP用の酸化マンガンスラリー(Mn_2O_3)循環研磨 第7章 総括 |
Hide fulltext details.
| File | FileType | Size | Views | Description |
|---|---|---|---|---|
eng2076
|
2.64 MB | 4,734 | 本文 | |
|
eng2076_abstract
|
172 KB | 975 | 要旨 |
Details
| Record ID | |
|---|---|
| Peer-Reviewed | |
| Keywords | |
| Report Number | |
| Number of Diploma | |
| Granted Date | |
| Date Accepted | |
| Faculty | |
| Notes | |
| Created Date | 2013.07.09 |
| Modified Date | 2023.11.21 |