低温酸化プロセスは耐熱温度の低いデバイスの酸化膜形成法として注目されている。本研究では、加熱触媒体を用いてH₂O(g)を分解し、Si基板を低温酸化する方法を提案している。X線光電子分光法を用いて、作製した試料を評価したところ、Si 2pスペクトルにおいてSi-O結合のピークが確認された。酸化処理温度は約60 ºCであり、通常の熱酸化と比べ、極めて低い温度で酸化層の形成が可能であることが示唆された。