Study of the fast-states structure at the surface ofn-type germanium

Summary

In order to investigate the dependence of the fast-states structure upon the conditions of the surface, field effect measurements have been carried out on nearly intrinsicn-type Ge samples treated by different etches and exposed to several gaseous ambients. When the surface is well oxidized a pattern of surface states approximately symmetrical with respect to the mid-gap is observed, with energies located at -8kT, -5kT, -2kT, +2kT, + 4.5kT and +7.5kT and with densities increasing with time. The behaviour of the curves of the field effect mobility versus surface potential when the bands are nearly flat, suggests that the reduction of the mobility of the holes in inversion layers is greater than that of the electrons in accumulation layers.

Riassunto

Allo scopo di determinare la dipendenza dello spettro degli stati veloci dalle condizioni della superflcie, sono state eflettuate misure di effetto di campo su campioni di Ge di tipon quasi intrinseco trattati con diversi attacohi chimici ed esposti a differenti ambienti gassosi. Per una superficie sufflcienteinente ossidata si è trovata una distribuzione di stati pressoohè simmetrica rispetto alla metà della banda proibita, con energie localizzate a -8, -5, -2, +2, + 4.5 e + 7.5kT e con densità che aumentano gradatamente nel tempo. L’andamento delle curve di mobilità di effetto di campo in funzione del potenziale di superficie in prossimità del minimo della conducibilità superflciale, suggerisce che la riduzione della mobilità delle lacune negli strati di inversione è maggiore di quella degli elettroni negli strati di accumulazione.