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Even though spin-transfer-torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) is considered to be a leading candidate for next generation memory, designing a sensing circuit (SC) that achieves sufficient read yield is challenging because of the increased process variation, decreased read current (Iread), and small tunnel magnetoresistance (TMR) ratio. In this paper, a novel body-biasing-based latch offset cancellation SC (BBLOC-SC) that is capable of canceling the offset voltage caused by the latch sense amplifier is proposed. Monte Carlo HSPICE simulation results using industry-compatible 28-nm model parameters show that the proposed BBLOC-SC achieves a much higher read yield compared to the state-of-the-art SCs, regardless of TMR and Iread.
#Body-biasing #latch offset cancellation #positive feedback #sensing circuit #resistive device #spin-transfer-torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM)

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. PROPOSED BBLOC-SC
III. SIMULATION RESULTS AND COMPARISON
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (20)

참고문헌 신청
M. Hosomi et al., “A novel nonvolatile memory with spin torque transfer magnetization switching: Spin-RAM,” In Proc. IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM) Tech. Dig., 2005, pp. 459-462. google schola C. J. Lin et al., “45 nm low power CMOS logic compatible embedded STT MRAM utilizing a reverse-connection 1T/1MTJ cell,” in IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM) Tech. Dig., 2009, pp. 279-282. google schola K. Tsuchida et al., “A 64Mb MRAM with clamped-reference and adequate-reference schemes,” in IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. (ISSCC) Dig. Tech. Papers, 2010, pp. 258-259. google schola S. Ikeda et al., “A perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction,” Nature Materials, pp. 721-724, Jul. 2010. google schola S. H. Kang and K. Lee, “Emerging materials and devices in spintronic integrated circuits for energysmart mobile computing and connectivity,” Acta Materialia, vol. 61, no. 3, pp. 952-973, 2013. google schola

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