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Be-doped GaSb layers were grown on highly mismatched semi-insulating GaAs substrate (001) with 2° offcut towards 〈110〉 at low growth temperature, by molecular beam epitaxy (MBE). The influence of Be doping on the crystallographic quality, surface morphology, and electrical properties, was assessed by X-ray diffraction, Nomarski microscopy, and Hall effect measurements, respectively. Be impurities are well behaved acceptors with hole concentrations as high as 9×1017 cm-3. In addition, the reduction of GaSb lattice parameter with Be doping was studied.
#Molecular beam epitaxy #GaSb #doping #high resolution X-ray diffraction #semiconducting III-V materials

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENT
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. SUMMARY AND CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (18)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - R. A. Hogg / 1998 / Optical spectroscopy of self-assembled type II GaSb/GaAs quantum dot structures grown by molecular beam epitaxy / Appl. Phys. Lett 72 (22) : 2856 ~ 2858 google schola [학술지(정기간행물)] - L. Müller-Kirsch / 2001 / Temporal evolution of GaSb/GaAs quantum dot formation / Appl. Phys. Lett 79 (7) : 1027 ~ 1029 google schola [학술지(정기간행물)] - Y. B. Li / 2011 / Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells / J. Appl. Phys 109 : 073703 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - H. K. Lin / 2010 / Ebeam-evaporated Al2O3 for InAs/AlSb metaloxide-semiconductor HEMT development / Solid-State Electron 54 : 505 ~ 508 google schola [학술지(정기간행물)] - O. Cathabard / 2010 / Quantum cascade lasers emitting near 2. 6μm / Appl. Phys. Lett 96 : 141110 ~ google schola

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