Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen:
http://dx.doi.org/10.18419/opus-8205
| Autor(en): | Berroth, Manfred Bosch, Roland Hurm, Volker |
| Titel: | Frequency dependent CV measurements of GaAs/AlGaAs heterostructures |
| Erscheinungsdatum: | 1989 |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag |
| Erschienen in: | Heuberger, Anton (Hrsg.): ESSDERC '89 : 19th European Solid State Device Research Conference, Berlin. Berlin : Springer, 1989. - ISBN 3-540-51000-1, S. 619-622 |
| URI: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92609 http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8222 http://dx.doi.org/10.18419/opus-8205 |
| Zusammenfassung: | A procedure is described to determine the carrier density profile in the channel of a FET by evaluating S-parameters measured over a broad frequency range. Applying this method to GaAs/AlGaAs heterostructures, a frequency dispersion of the gate capacitance has been found, which is attributed to a parasitic conducting channel. |
| Enthalten in den Sammlungen: | 15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung |
Dateien zu dieser Ressource:
| Datei | Beschreibung | Größe | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ber21.pdf | 342,81 kB | Adobe PDF | Öffnen/Anzeigen |
Alle Ressourcen in diesem Repositorium sind urheberrechtlich geschützt.