题名：6H-SiC(0001)衬底结构对GaN膜结构的影响第一原理研究

作者：辛永松;张百新;戴宪起;

来源：

出版机构：同方知网（北京）技术有限公司

出版年:

DOI码：10.16366/j.cnki.1000-2367.2007.02.020

注册时间：2016-05-05 03:39:51

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