Nous présentons l'intégration de nanotubes de carbones (NTC) dans des structures vias submicroniques comportant différents matériaux de contacts inferieurs. Ces matériaux silicium dopé et poly silicium sont représentatifs des connexions sur les électrodes (source drain grille) des transistors. Pour les connections sur métaux dans la partie « backend » du circuit intégré, nous proposons d'utiliser un alliage l'aluminium cuivre (AlCu) qui présente une meilleure conductivité que le cuivre pour des lignes de petites dimensions. Les conditions expérimentales pour la croissance de NTC ont été optimisées sur chacun de ces substrats. La densité de NTC atteinte dans des via d'un μm de diamètre est supérieure à 1012 cm−2, ce qui est la valeur la plus importante publiée à ce jour.
We have succeeded in direct integration of carbon nanotubes (CNTs) for via interconnects using different back contact materials. Highly doped Si and poly Si are used, aiming at the CNT via interconnects directly from source, drain and gate of transistors. In addition, we propose to use aluminum copper alloy (AlCu) as a metal line because of its higher conductivity compared that of copper in very small geometries. The experimental conditions for CNT growth are optimized on these three substrate materials, which are applied for the direct integration in via holes with success. The achieved density in 1 μm via holes is more than , the highest value reported so far.
@article{CRPHYS_2010__11_5-6_381_0, author = {Hanako Okuno and Adeline Fournier and Etienne Quesnel and Viviane Muffato and Helene Le Poche and Murielle Fayolle and Jean Dijon}, title = {CNT integration on different materials suitable for {VLSI} interconnects}, journal = {Comptes Rendus. Physique}, pages = {381--388}, publisher = {Elsevier}, volume = {11}, number = {5-6}, year = {2010}, doi = {10.1016/j.crhy.2010.06.008}, language = {en}, }
TY - JOUR AU - Hanako Okuno AU - Adeline Fournier AU - Etienne Quesnel AU - Viviane Muffato AU - Helene Le Poche AU - Murielle Fayolle AU - Jean Dijon TI - CNT integration on different materials suitable for VLSI interconnects JO - Comptes Rendus. Physique PY - 2010 SP - 381 EP - 388 VL - 11 IS - 5-6 PB - Elsevier DO - 10.1016/j.crhy.2010.06.008 LA - en ID - CRPHYS_2010__11_5-6_381_0 ER -
%0 Journal Article %A Hanako Okuno %A Adeline Fournier %A Etienne Quesnel %A Viviane Muffato %A Helene Le Poche %A Murielle Fayolle %A Jean Dijon %T CNT integration on different materials suitable for VLSI interconnects %J Comptes Rendus. Physique %D 2010 %P 381-388 %V 11 %N 5-6 %I Elsevier %R 10.1016/j.crhy.2010.06.008 %G en %F CRPHYS_2010__11_5-6_381_0
Hanako Okuno; Adeline Fournier; Etienne Quesnel; Viviane Muffato; Helene Le Poche; Murielle Fayolle; Jean Dijon. CNT integration on different materials suitable for VLSI interconnects. Comptes Rendus. Physique, Volume 11 (2010) no. 5-6, pp. 381-388. doi : 10.1016/j.crhy.2010.06.008. https://comptes-rendus.academie-sciences.fr/physique/articles/10.1016/j.crhy.2010.06.008/
[1] A. Naeemi, R. Servari, J.D. Meindl, in: Proceedings of the 44th Annual ACM IEEE Conference on Design Automation, 2007, p. 568.
[2] International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), Semiconductor Industry Assoc., 2005
[3] IEEE Electron Device Letters, 27 (2006), pp. 338-340
[4] Carbon Nanotubes – Basic Concepts and Physical Properties, Wiley-VCH, 2004
[5] Carbon Nanotubes – Synthesis, Structure, Properties, and Applications, Springer, 2001
[6] Microelectronic Engineering, 64 (2002), p. 399
[7] Carbon, 44 (2006), pp. 2009-2014
[8] Nano Letters, 4 (2004), p. 517
[9] A. Kawabata, S. Sato, T. Nozue, T. Hyakushima, M. Norimatsu, M. Mishima, T. Murakami, D. Kondo, K. Asano, M. Ohfuti, H. Kawarada, T. Sakai, M. Nihei, Y. Awano, in: Proc. IEEE Int. Technol. Conf., 2008, pp. 237–239.
[10] M. Katagiri, Y. Yamazaki, N. Sakuma, M. Suzuki, M. Wada, N. Nakamura, N. Matsunaga, S. Sato, M. Nihei, Y. Awano, in: Proc. IEEE Int. Technol. Conf., 2009, pp. 44–46.
[11] Carbon, 43 (2005), pp. 2441-2452
[12] Diamond and Related Materials, 19 (2010), pp. 382-388
[13] Nature Materials, 5 (2006), pp. 987-994
[14] J. Dijon, P.D. Szkutnik, A. Fournier, T. Goislard de Monsabert, H. Okuno, E. Quesnel, V. Muffato, E. De Vito, N. Bendiab, A. Bogner, N. Bernier, Carbon, in press.
[15] G. Steinlesberger, G. Schindler, M. Engelhardt, W. Steinhogl, M. Traving, in: Proc. IEEE Int. Interconnects Technol. Conf., 2004, pp. 51–53.
Cité par Sources :
Commentaires - Politique
Review of two microwave applications of carbon nanotubes: nano-antennas and nano-switches
Sébastien Demoustier; Eric Minoux; Matthieu Le Baillif; ...
C. R. Phys (2008)