Zusammenfassung
Bei der Herstellung vieler wichtiger Oxidschichten leiden herkömmliche Sputterverfahren unter dem Nachteil niedriger Beschichtungsraten und mangelhafter Prozessstabilität. Das Gasflusssputterverfahren umgeht beide Schwierigkeiten, das Raten- wie das Stabilitätsproblem, durch sein einzigartiges Wirkprinzip. Vor kurzem entwickelte neue Gasflusssputterquellen mit Targetlängen von bis zu einem Meter werden bereits erfolgreich eingesetzt.
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Höfer, M., Jung, A., Jung, D.T. et al. Gasflusssputtern von dielektrischen und transparent leitfähigen Oxidschichten. J Oberfl Techn 40, XII–XVI (2000). https://doi.org/10.1007/BF03240761
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DOI: https://doi.org/10.1007/BF03240761