Sommaire
Dans cet exposé, l’auteur rappelle sommairement les différentes structures du gridistor en précisant les dernières étapes de leur développement, donne et discute brièvement les résultats expérimentaux acquis à ce jour en insistant sur les progrès accomplis récemment, et esquisse enfin les perspectives d’avenir sur le plan de laboratoire et le plan industriel.
This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.
Similar content being viewed by others
Bibliographie
Teszner (S.). Le tecnetron,Écho Rech. (1958),31, pp. 41–48, 10 fig.
Teszner (S.),Thue (M.). Le tecnetron. Nouvelle étape de développement des dispositifs à semiconducteurs.Bull. soc. Fr. Électriciens (oct. 1958),8, nℴ 96, pp. 683–700, 25 fig., bibl. (7 réf.).
Teszner (S.),Gicquel (R.). Gridistor, new field effect device. (Le gridistor, un nouveau dispositif à effet de champ), P. I.E.E.E., U.S.A. (déc. 1964),52, nℴ 12, pp. 1502–1513, 15 fig., bibl. (10 réf.).
Teszner (S.),Gicquel (R.). Le « gridistor ».Onde électr., Fr. (jan. 1966).46, nℴ 466, pp. 99–104, 11 fig.
Teszner (S.). Sur les nouvelles structures du tecnetron.Onde électr., Fr. (août 1961),41, nℴ 609, pp. 307–320, 19 fig., bibl. (13 réf.).
Teszner (S.). High Power Field Effect Transistor. (Dispositif à semiconducteur dit « transistron uni polaire de puissance ») U. S. Patent 29380950 (mars 1960), application en France, 10 décembre 1956.
Teszner (S.). High frequency and power field effect transistor with mesh-like gate structure. (Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs dits tecnetrons multibâtonnets.) U. S. Patent 3274461 (20 sept. 1966) application en France, 16 décembre 1961.
Hughes (H. L.),Giroux (R. R.). Space radiation effects MOS FET’S. (Le rayonnement dans l’espace affecte les transistors à effet de champ à métal oxide semi-conducteur.)Electronics U. S. A. (28 déc. 1964),37, nℴ 32, pp. 58–60, 1 fig., 2 tabl.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Teszner, S. Le gridistor. Ann. Telecommun. 21, 157–168 (1966). https://doi.org/10.1007/BF02996902
Received:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF02996902