The electronic structure of GaSe

Summary

The electronic band structure of the layer compound GaSe was calculated with the empirical pseudopotential method. Corrective terms had to be added to the spherical atomic potentials in order to account for the weak van der Waals coupling between layers. It was possible within this approximation to evaluate the effective masses of electrons and holes, both parallel and perpendicular to the layers. The experimentally observed strong dependence of the optical absorption on the polarization of the light is well explained by the present band structure. With the pseudo-wave-functions the charge densities were calculated for several groups of bands. They allow a detailed discussion of the chemical bonding in GaSe.

Riassunto

Si è ealcolata col metodo dello pseudopotenziale empirico la struttura delle bande elettroniche del composto a strati GaSe. Si son dovuti aggiungere termini correttivi ai potenziali atomici sferici per tener conto del debole accoppiamento di van der Waals fra gli strati. In questa approssimazione è stato possibile valutare le masse effettive degli elettroni e delle buche sia parallelamente che perpendicolarmente agli strati. La forte dipendenza dell’assorbimento ottico dalla polarizzazione della luce osservata sperimentalmente è ben spiegata da questa struttura a bande. Con le pseudofunzioni d’onda si sono calcolate le densità di carica per molti gruppi di bande. Esse permettono di discutere dettagliatamente il legame chimico nel GaSe.

Резюме

С помощью эмпирическ ого псеведопотенциальн ого метода вычисляет ся электронная зонна я структура GaSe. К с электронная зонная с труктура GaSe. К сферичес ким атомным потенциа лам должны быть добав лены поправочные чле ны, чтобы учесть слабу ю связ потенциалам должны б ыть добавлены поправ очные члены, чтобы уче сть слабую связь ван д ер Ваальса между слоя ми. В рамках этого приб лижения можно оценит ь эффективные массы э лектронов и дыро чтобы учесть слабую с вязь ван дер Ваальса м ежду слоями. В рамках э того приближения мож но оценить эффективн ые массы электронов и дырок, параллельно и п ерпендикулярно к сло ям. Предложенная зонн ая структура также хо рошо объясняет экспе р слоями. В рамках этого приближения можно оц енить эффективные ма ссы электронов и дыро к, параллельно и перпе ндикулярно к слоям. Пр едложенная зонная ст руктура также хорошо объясняет экспериме нтально наблюденную сильную зависимость оптического поглоще ния от поляризации св ета. Испол эффективные массы эл ектронов и дырок, пара ллельно и перпендику лярно к слоям. Предлож енная зонная структу ра также хорошо объяс няет эксперименталь но наблюденную сильн ую зависимость оптич еского поглощения от поляризации света. Ис пользуя псевдоволно вые функции, для некот орых групп зон вычисл яются плотности заря да. Полученные резул перпендикулярно к сл оям. Предложенная зон ная структура также х орошо объясняет эксп ериментально наблюд енную сильную зависи мость оптического по глощения от поляриза ции света. Используя п севдоволновые функц ии, для некоторых груп п зон вычисляются пло тности заряда. Получе нные результаты позв оляют подробно обсуд ить химическую связь в GaSe. структура также хоро шо объясняет экспери ментально наблюденн ую сильную зависимос ть оптического погло щения от поляризации света. Используя псев доволновые функции, д ля некоторых групп зо н вычисляются плотно сти заряда. Полученны е результаты позволя ют подробно обсудить химическую связь в GaSe. наблюденную сильную зависимость оптичес кого поглощения от по ляризации света. Испо льзуя псевдоволновы е функции, для некотор ых групп зон вычисляю тся плотности заряда. Полученные результа ты позволяют подробн о обсудить химическу ю связь в GaSe. поглощения от поляри зации света. Использу я псевдоволновые фун кции, для некоторых гр упп зон вычисляются п лотности заряда. Полу ченные результаты по зволяют подробно обс удить химическую свя зь в GaSe. псевдоволновые функ ции, для некоторых гру пп зон вычисляются пл отности заряда. Получ енные результаты поз воляют подробно обсу дить химическую связ ь в GaSe. вычисляются плотнос ти заряда. Полученные результаты позволяю т подробно обсудить х имическую связь в GaSe. позволяют подробно о бсудить химическую с вязь в GaSe.