References
W. I. WANG,Appl. Phys. Lett. 44 (1984) 1149.
G. M. MERTZE, H. K. CHOI and B. Y. TSAUR, ibid.45 (1984) 1107.
M. YAMAGUCHI, M. SUGO and Y. ITOH, ibid.54 (1989) 2568.
Y. HUANG, P. Y. YU, H. LEE and S. WANG, ibid.52 (1988) 579.
D. A. NEUMANN, X. ZHU, H. ZABEL, T. HENDERSON, R. FISHER, W. T. MASSELINK, J. KLEM, C. K. PENG and H. MORKOC,J. Vacuum Sci. Technol. B4 (1986) 642.
Y. ITOH, T. NISHIOTA, A. YAMAMOTO and M. YAMAGUCHI,Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 1614.
J. P. VAN DER ZIEL, R. D. DUPUIS, R. A. LOGAN, R. H. MIKULYAK, C. J. PINZONE and A. SAVAGE, ibid.50 (1987) 454.
M. AKIYAMA, Y. KAWARADA and K. KAMINISH,Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) L843.
N. CHAND, R. PEOPLE, F. A. BAIOCCHI, K. W. WECHTAND and A. Y. CHO,Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 815.
Y. CHEN, A. FREUNDLICH, H. KAMADA and G. NEU, ibid.54 (1989) 45.
T. L. LIN, L. SADWICK, K. L. WANG, Y. C. KAO, R. HULL, C. W. NIEH, D. N. JAMIESON and J. K. LIU, ibid.51 (1987) 814.
Y. J. MII, T. Y. LIN, Y. C. KAO, B. J. WU, K. L. WANG, C. W. NIEH and D. N. JAMIESON,J. Vacuum Sci. Technol. B6 (1988) 696.
D. R. TURNER,J. Electrochem. Soc. 105 (1958) 402.
R. W. HARDENMAN, M. I. J. BEALE, D. B. GASSON, J. M. KEEN, C. PICKERING and D. J. ROBBINS,Surf. Sci. 152 (1985) 1051.
S. NISHI, H. INOMATA and M. AKIYAMA,Jpn. J. Appl. Phys. 24 (1985) L391.
R. M. RUM, J. K. KLINGERT, R. B. BYLSMA, A. M. GLASS, A. T. MACRANDER, T. D. HARRIS and M. G. LAMONT,J. Appl. Phys. 64 (1988) 6727.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Kang, T.W., Oh, Y.T., Leem, J.Y. et al. Growth and optical studies of a GaAs epitaxial layer on porous Si(100) grown by molecular beam epitaxy. J Mater Sci Lett 11, 392–395 (1992). https://doi.org/10.1007/BF00728719
Received:
Accepted:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF00728719