Zusammenfassung
Stichworte: Halbleiterdioden: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, TSE, Schutzschaltungen, Zusammenschaltung von Dioden; Bipolartransistoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, SOAR, Dynamisches Verhalten, Schutzschaltungen, Parallelschaltung von bipolaren Transistoren; Feldeffekttransistoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, Zusammenschaltung von Feldeffekttransistoren; IGBT-Transistoren; Thyristoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, Schutzschaltungen, Zusammenschaltung von Thyristoren, Löschen von Thyristoren, GTO-Thyristor, DIAC, TRIAC, Gatt-Thyristor, Foto-Thyristor.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Author information
Authors and Affiliations
Corresponding author
Editor information
Editors and Affiliations
Rights and permissions
Copyright information
© 2016 Springer Fachmedien Wiesbaden
About this chapter
Cite this chapter
Plaßmann, W. (2016). Leistungshalbleiter. In: Plaßmann, W., Schulz, D. (eds) Handbuch Elektrotechnik. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-658-07049-6_90
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-658-07049-6_90
Published:
Publisher Name: Springer Vieweg, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-658-07048-9
Online ISBN: 978-3-658-07049-6
eBook Packages: Computer Science and Engineering (German Language)